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DDR4 vs LPDDR4 vs LPDDR4x:有什么区别?

阅读次数: 【 929 】 更新时间: 【 2021-10-19 】

    LPDDR4是与DDR4内存等效的移动设备。与DDR4相比,它具有更低的功耗,但是却以带宽为代价。LPDDR4具有两个16位通道,从而使每个DIMM的总线总长度为32位。相比之下,DDR4每个DIMM具有64位通道。

    但是,与此同时,LPDDR4的预取宽度更宽,为16n,每个通道总共(16个字x 16位)256/ 32字节,是两个通道总和的两倍。

    另一方面,DDR4每个通道具有两个8n预取存储体。这两个存储体是分开的,可以执行两个独立的8n预取。这是通过使用多路复用器对其内部存储库进行时分多路复用来完成的。每个组每个周期总共有8个字x 64= 512位(64字节)。

    与DDR4相比,LPDDR4降低了功耗,但这样做是以带宽为代价的。LPDDR4具有两个16位通道,从而形成了32位总总线。相比之下,DDR4具有64位通道。

    LPDDR4还具有更灵活的突发长度,范围从1632256512位,3264字节),尽管大多数情况下使用16 BL。另一方面,DDR4被限制为每个周期8个突发长度(128位或16字节),尽管每个存储体都可以执行额外的传输(来自两个不同的存储体组)。

    要了解突发长度的含义,您需要知道如何访问内存。当CPU或高速缓存请求新数据时,该地址将发送到内存模块和所需的行,然后找到该列(如果不存在,则加载新行)。请记住,每步操作都会有延迟。之后,整列将以突发方式通过内存总线发送。对于DDR4,每个突发为8(或16B)。使用DDR5,它已增加到多达32个(最大64B)。每个时钟有两个脉冲串,它们以有效数据速率发生。此外,类似于LPDDR4DDR5每个DIMM具有两个32位通道,而双DIMM配置中总共有四个通道。预取和BL也已增加到16。该数字非常理想,因为内存中的每个高速缓存行的大小都相同。

    与标准DDR4内存相比,该设计使LPDDR4的电源效率更高,非常适合在电池待机时间长达8-10小时的智能手机中使用。美光的LPDDR4 RAM2133 MHz的时钟达到了最高标准,传输速率为4266 MT / s,而三星紧随其后的是1600MHz的时钟和3200 MT / s的传输速率。此外,如您在下表中所见(来自Wikipedia),尽管LPDDR41.1v)具有类似或更高的I / O总线时钟,但其电压却比DDR41.3v)低得多。

    低功耗DD

    最后,是存储库的问题。LPDDR4再一次针对低功耗性能进行了优化,而DDR4存储器则相反。DDR4内存由16个存储体组组成,每个存储体包装四个独立的存储体,而LPDDR4LPDD4X DIMM每个通道总共具有八个存储体,因此总数为1616x 2)。LPDDR5采用类似于DDR4的结构,但这是另一次讨论。

    LPDDR4LPDDR4X:有什么区别?

类似于DDR5降低电压和功耗的方式,LPDDR4X的作用相同。它将I / O电压降低了50%(1.120.61v),从而大大降低了存储器以及存储器控制器的功耗。

    此外,速度也从3200MT / s增加到了4266MT / s(无OC)。这是由于I / O总线时钟(1600MHz2134MHz)和内存阵列(200-266.7MHz)更快的结果。命令和地址总线已保留有6SDR空间。最后,它占用的片上空间更少,单个封装最多可以包含12GBDRAM。不利的一面是,LPDDR4X不能与LPDDR4向后兼容。即使设备与更快的LPDDR4内存兼容,它也可能不适用于LPDDR4X




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