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公司动态

谈谈Intel向SK Hynix出售全球NAND业务以及大连厂的隐性原因

阅读次数: 【 459 】 更新时间: 【 2021-11-29 】

这笔收购包含INTC Nand SSD业务、Nand部件及晶圆业务,以及其在大连的Nand闪存工厂同样易主SK Hynix,INTC保留Optane TM业务;

—— 也就是这笔交易中pmem资产不出售(未来业务核心+受限于镁光协议),交易标的是NAND和SSD。后者这种commodity生意INTC一贯掣肘,产能差距明显,也许没有机会上坡挑战。

下一代存储介质,业界预期PCM,但除了INTC和镁光JV的3D Xpoint(Optane NVM),业界也没有成功的PCM;但据传3Dxpt的2代+完整IP也暂不会出售镁光,但在两家的JV分手之前,双方材料物理和技术路线的差异就不能彼此化解:INTC旨在走DIMM接口替代DDR/DRAM市场,Micron则继续M.2接口的Storage(SSD)路线;

要知道SSD毕竟是存储设备,设计和制造可以容错,比如可以允许坏点,那么厂商的存储颗粒多做5%的冗余即可替换坏点继续工作,但Memory是高可靠性计算设备,坏点不可容忍,电路设计和制造工艺都有不同;虽然两家的上层材料物理IP都有相似,但当年JV分家是连带IP交叉授权和属权分割的。

另外,材料物理的差异似乎出于INTC PCM相变材料中的硫性化合物(猜想是硫化物相变存储器的GST涂层),对应的论文也提到它的性能/温度成反比,环境温度高,性能下降(记得论文说50摄氏度为宜?),即读写速度和cycle数值都会下降,比如万次读写的指标也许只有2000次了:),但在下一代3Dxpt成果中已然攻克。

关于产能和供应的影响:在本次交易中原有的大连厂Optane SSD产线不会出售(Fab68不允许生产PCM材料的颗粒,仅拿美国预制好的特殊晶圆跑个流片再测试封装SSD,且Fab68仅占3Dxpoint少量产能,曾经是Micron[IM]供应大部分产能)。本次交易的资产对价是大连厂的多数产线设备出售给SK,加上与镁光IM的切割,看似是INTC失去了全部Optane制造能力,但实则PCM-mem系列产品未来产能都将迁往Utah或是全球半数产能的Fab42 Chandler AZ,且Utah的制造成本推演低于大连厂,后者在Y19就已经评估过了;况且大连厂是3D Nand产线为主,改造Memory尚需投入。

关于Intel NAND浮栅工艺与Hynix产线的差异问题:众所周知,Intel Nand浮置栅极工艺与SK Hynix CTF的工艺有差异;此外,韩厂与Micron的工艺IP交叉更多(如Replacement Gate-Gate Last-Charge Trap),不确定Hynix收购以后是否会调整产线(FG->CTF ),但毕竟都是一线FAB / 一线工具,SK也许有几个月就足以调完;当然,也不排除SK不改产线,维持生产,保持现金流…;如同当初用美国手套控盘东芝那样,毕竟从经济上讲停产改工艺的代价太大,维持产能运转直到大修周期再动手术也可。

Btw:另外INTC PCM如今内部称作pmem(persistent memory),2代之后的3DXpoint演进主要是mem场景(猜测仍会包含少量的较大面积的SSD),产能在美本土,可见插DIMM替代DRAM内存条的决心远高过storage :)

引用几组数据:

Intel大连晶圆厂曾经是以65nm制程生产处理器芯片,后技改生产3D-NAND-Flash芯片(非PCM颗粒和主控),当初总投资金额$5.5bn,成为Intel的主要3D-NAND生产基地。

如下引用问芯voice文章的几组数据:Intel和Hynix在NAND市场的近期数据表现:Y20年初Intel的存储器业务收入13.4亿美元,同比增长46.2%,在全球大概是排名约第五。Y19 Q4单季度intel的Nand市场份额9.8%,而SK Hynix紧随其后为9.5%,此次收购完成后,Hynix在Nand领域排位有望超过美镁光。而美资在中国本土的NAND产线顺利脱售交易给韩商,也是合规前提下剥离非核心资产之举,也意味着国内电子存储的下游对于韩厂的依赖愈加紧密。

宏观来看,当前DRAM全球厂家就主流3家,而NAND有6厂家(Samsung/东芝-铠侠/WD/Hynix/Micron/Intel);引用一下中国闪存市场<ChinaFlashMarket>针对全球NAND Flash市场的统计口径,Samsung以32%居首,日本铠侠(前东芝)以18%位居其次,西部数据以15%排名第三;而西部数据、镁光、SK Hynix三家市占率皆在11%左右。此次SK Hynix合并英特尔NAND Flash业务,则可以将其全球市占率推升至22%,超过铠侠成为全球次位。此外,虽然Intel NSG部门对于NAND Flash的投入优先级很低,但其在企业级工效SSD的技术积累更深,且企业级市场占有率可观。企业级SSD细分市场的毛利率可观且进入门槛高,一直以来是Samsung和Intel的角逐;本次交易会促使SK Hynix有机会进入企业级SSD市场。相较于SK Hynix全球30%份额的DRAM优势,其在NAND市场的业绩近年趋弱,这是由于当初2D-NAND转进3D-NAND时的技术掉队造成的,这也使得Hynix的三块主营业务十分不均衡(Hynix三个业务板块:DRAM、NAND Flash、晶圆代工;其中DRAM占比重70%+,其次是NAND Flash 24%,而晶圆代工处于极小规模;以及补充eMCP/eMMC缺失领域)。

这笔交易对于Micron是利空消息,后者一直以来觊觎中国本土产能,当年镁光的假意制衡福建晋华的动作,即是希望获得在中国建设存储基地的工程参与机会,参与方式不外乎两种,一是镁光参股,股权意味着可以分得产能;如此一来,镁光不必自己扩产即可以享受到全球市占率的提升。另一种方式是复制过去台湾 DRAM 模式,重启镁光与台厂合资 JV的技术授权和代工关系;当初台湾DRAM模式是由镁光供应技术IP,由JV公司华亚科来代工生产DRAM芯片,因此华亚科等同是代工厂(晶圆测试封装);再者,JV的扩产资金还可以彼此分摊,当年华亚科是上市实体,也有能力自主筹资,等同于是镁光不需要太多现金代价即可获得额外产能与市占率。


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