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芯片温升估算与实际测试 |
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阅读次数: 【 324 】 | 更新时间: 【 2021-12-29 】 | ||||||
芯片温升估算与实际测试 现在设备越来越趋于小型化设计,也就是单位体积下热功耗变大。但是电子产品最大的问题就是温度,大部分的电子用的时间长了,就会发热,电池也会随着使用时间越久,电池就会变得不耐用。 温度过高会使得电子产品的绝缘性能退化,元器件也会渐渐的损坏,材料变得老化。一般而言,过高的温度会使得电阻降低,这也是其的使用寿命会变短的原因。电子产品里面的变压器等其他的材料都会受到高温的影响,性能下降,机械强度也会随之降低,电极电流的增加,使得温度进一步升高,最后使得元器件功能失效。 LDO芯片产品 LDO是我们消费品电子等很多设备中都会用到的器件,因此对这个器件做热计算相关分析。 结温估算 请注意,我们以LM1117芯片,封装为SOT223封装来计算。(封装会影响LDO的热阻大小,热阻会导致器件产生温升)。 RθJA:这个指的是从芯片内部晶圆到空气的热阻大小; RθJC(top):这个指的是从芯片内部晶圆到器件上表面的热阻大小; 计算 我们估算是用RθJA来估算的,具体如下: TJ-TA=RθJA* PD 上式中: TJ是芯片结温; TA是环境温度 PD是功耗 例如:LDO的输入是9V,输出是5V,负载电流大小是200mA,环境温度是25摄氏度,则此时的芯片结温估计是? (1)芯片功耗PD=(9-5)* 200=0.8w 不考虑Iq电流 (2)TJ=TA+RθJA*PD=25+61.6 * 0.8=74.28摄氏度。 基于此,可以计算芯片在125摄氏度或者150摄氏度下的最大功耗是多少。 结温精确测试 我们估算是用RθJC来计算的,具体如下: TJ-TC=RθJC* PD 上式中: TJ是芯片结温; TC是芯片上表面温度 PD是功耗 例如:LDO的输入是9V,输出是5V,负载电流大小是200mA,环境温度是25摄氏度,则此时的芯片结温估计是? (1)芯片功耗PD=(9-5)* 200=0.8w 不考虑Iq电流 (2)TJ=TC+RθJC*PD=TC+61.6 * 0.8=当前功率下结温。 基于此,再使用热电偶或者红外测试仪测试出来芯片上表面温度TC,就可以计算芯片当前的结温温度。 总述 因为空气扰度等原因,在使用空气计算或者估算芯片结温时误差比较大,因此需要精确计算结温,需要用到芯片上表面温度。 ———————————————— 版权声明:本文为CSDN博主「VirtuousLiu」的原创文章,遵循CC 4.0 BY-SA版权协议,转载请附上原文出处链接及本声明。 原文链接:https://blog.csdn.net/LUOHUATINGYUSHENG/article/details/103772075 |
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